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TrendForce:2025 年 HBM 內(nèi)存價格調(diào)漲約 5~10%,占 DRAM 總產(chǎn)值預估將逾三成

2024年5月7日 09:35  IT之家  作 者:溯波

5 月 6 日消息,市場分析機構(gòu) TrendForce 集邦咨詢今日發(fā)布研報,表示 2025 年 HBM 內(nèi)存市場將繼續(xù)繁榮,產(chǎn)能和市場份額都將進一步提升。

研報指出,2023 年 HBM 在整體 DRAM 內(nèi)存中的位元產(chǎn)出占比僅有 2%,今年有望成長到 5%,明年更將跨越 10% 節(jié)點;

而在市場份額方面,去年 HBM 占整體 DRAM 的 8%,今年將達 21%,2025 年有望成長到超過三成。

TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示,目前 HBM 同傳統(tǒng) DDR5 內(nèi)存的價差約為五倍,同時 HBM3e 內(nèi)存 TSV 工藝的良率目前僅有 40~60%。

研報表示,供需雙方今年二季度已開始就 2025 年的 HBM 訂單進行初步價格談判;另據(jù)IT之家此前報道,美光、SK 海力士今年的 HBM 產(chǎn)能已經(jīng)售罄。

受限于整體 DRAM 產(chǎn)能有限,HBM 內(nèi)存供應商初步調(diào)升了 5~10% 定價,覆蓋 HBM2e、HBM3、HBM3e 品類。

目前 HBM 買家仍對 AI 前景保持高度信心,愿意接受價格的進一步上漲;而在供應商方面,未來各廠商的 HBM 內(nèi)存單價將受可靠性和供應能力影響,存在出現(xiàn)價差并影響獲利的可能。

展望 2025 年,HBM 內(nèi)存的重心將轉(zhuǎn)向 12 層堆疊和 HBM3e 品類,帶動 HBM 芯片平均單堆棧容量的提升。2024 年 HBM 內(nèi)存需求量已增長近 200%,明年有望再次翻倍。

編 輯:章芳
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