近日，據CNMO了解，日本大阪大學、三重大學、美國康奈爾大學的研究團隊開發(fā)出了用于“6G”的半導體成膜技術。據悉，該技術能夠去除成膜過程中產生的雜質，使晶體管材料的導電性提高至約4倍。相關媒體報道稱，該技術計劃應用于產業(yè)用途，例如在高速無線通信基站上增幅電力等。
據相關媒體報道稱，目前想要實現(xiàn)超高速通信，需要導電性強的晶體管。該硬性需求使得，在基板上分別層疊電子生成層和電子轉移層的高電子遷移率晶體管被人們所關注。據目前的技術，電子生成層大多使用的氮化鋁鎵，其中，導電性強的氮化鋁（AlN）的含有率為20～30%，而新技術將提高氮化鋁的比率。
據相關媒體報道稱，上述研究團隊開發(fā)出了用氮化鋁代替氮化鋁鎵的高電子遷移率晶體管（HEMT）制造技術。此前的技術在成膜過程中氮化鋁表面發(fā)生氧化，由此產生的氧雜質改變氮化鋁的結晶，難以獲得高導電性。而新技術則可以通過形成非常薄的鋁膜，以此來還原表面的氧化膜，并使其揮發(fā)，解決了這一難題。最終將導電性提高到原來的3-4倍。
該技術的特點是不需要使用價格更高的氮化鋁基板，轉而可以在直徑約5厘米的較大藍寶石基板上實現(xiàn)這一構造。據悉，研究團隊計劃改用更實用的方法，將在一年內試制出高電子遷移率晶體管。
