5 月 4 日消息，據(jù) Hankyung 報(bào)道，三星半導(dǎo)體今天早些時(shí)候在 KAIST（韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院）舉行了一場(chǎng)演講，三星設(shè)備解決方案部門總裁 Kye Hyun Kyung 提出了三星半導(dǎo)體將趕上競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電的未來(lái)愿景。
Kye Hyun Kyung 承認(rèn)三星的代工技術(shù)“落后于臺(tái)積電”。他解釋說(shuō)，三星的 4nm 技術(shù)比臺(tái)積電落后大約兩年，而其 3nm 工藝則比臺(tái)積電落后大約一年。
不過(guò)，Kye Hyun Kyung 也表示，但等到 2nm 就會(huì)發(fā)生變化，并大膽預(yù)測(cè)：“我們可以在五年內(nèi)超越臺(tái)積電�！�
三星可能在未來(lái)五年內(nèi)跑贏臺(tái)積電的想法，源于三星打算從 3nm 制造工藝開(kāi)始使用 Gate All Around（GAA）技術(shù)。相比之下，臺(tái)積電在達(dá)到 200 萬(wàn)產(chǎn)量之前不會(huì)使用 GAA。
GAA 是一種生產(chǎn)工藝，可以使三星生產(chǎn)出比臺(tái)積電目前使用的工藝更�。�45%）、能耗更低（50%）的芯片。Kye Hyun Kyung 稱“客戶對(duì)三星電子的 3nm GAA 工藝的反映很好”。
Kye Hyun Kyung 還表示，三星預(yù)計(jì)存儲(chǔ)半導(dǎo)體在開(kāi)發(fā) AI 服務(wù)器方面將變得更加重要，并超過(guò)英偉達(dá) GPU，并稱三星將“確保以存儲(chǔ)器半導(dǎo)體為中心的超級(jí)計(jì)算機(jī)能夠在 2028 年問(wèn)世”。
據(jù)IT之家此前報(bào)道，近期三星稱，其 4nm 芯片制程良率已改善、接近 5nm 的水準(zhǔn)，下一代 4nm 制程將提供更高的良率。
業(yè)內(nèi)消息人士透露，美國(guó)芯片巨頭 AMD 公司已經(jīng)選擇了三星電子作為其 4nm 處理器的合作伙伴。此外，谷歌公司也將委托三星電子生產(chǎn)其 Pixel 8 智能手機(jī)的 Tensor 3 芯片，采用三星電子第三代 4nm 工藝節(jié)點(diǎn)。
