據(jù)電子時(shí)報(bào)報(bào)道，業(yè)內(nèi)觀察人士表示，DRAM和NAND閃存的過剩情況自第三季度以來已大幅改善，供應(yīng)過剩率最早可能在第四季度轉(zhuǎn)為負(fù)值。
觀察人士表示，市場供應(yīng)過剩的改善是三星和美光等主要行業(yè)參與者限產(chǎn)的結(jié)果。芯片價(jià)格即將見底，但上漲速度仍取決于需求。
觀察人士稱，7月份8GB DDR4（1Gbx8）芯片和8GB DDR4模塊的合同價(jià)格均下降了1.5%，但16GB DDR5模塊的合同價(jià)格上漲了3-4%。
觀察人士表示，人工智能服務(wù)器最近增加了對高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求。在工藝轉(zhuǎn)型或人工智能服務(wù)器推動更高的SSD需求時(shí)，DRAM將被主要內(nèi)存制造商消化。
HBM需求暴增，三星電子、SK海力士等存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推動HBM產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計(jì)劃在明年年底前投資超過2萬億韓元，使HBM生產(chǎn)線目前的產(chǎn)能增加一倍以上。
有韓媒報(bào)道稱，HBM正在解凍存儲器半導(dǎo)體市場。雖然三星和SK海力士尚未透露具體的HBM價(jià)格，但據(jù)悉最新第4代產(chǎn)品HBM3的價(jià)格約為最新傳統(tǒng)DRAM的5-6倍。這就是今年HBM出貨量僅占DRAM總出貨量的1.7%，但其銷售額比例卻達(dá)到了11%的原因。
