3 月 19 日消息，集邦咨詢昨日發(fā)布報(bào)告，預(yù)估到 2024 年年底在 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)劃中，生產(chǎn) HBM TSV 的產(chǎn)能約為 250K / m，占總 DRAM 產(chǎn)能（約 1800K / m）約 14%，產(chǎn)能同比增長(zhǎng) 260%。
集邦咨詢預(yù)估 2023 年 HBM 產(chǎn)值在 DRAM 整體產(chǎn)業(yè)中的占比約 8.4%，到 2024 年底將擴(kuò)大至 20.1%。
集邦咨詢表示 HBM 和 DDR5 在生產(chǎn)方面差異主要體現(xiàn)在 Die Size 上，在相同制程和相同容量（例如 24Gb）情況下，HBM 的 Die 尺寸比 DDR5 大 35～45%，但良率要比 DDR5 低約 20～30%、生產(chǎn)周期（包含 TSV）較 DDR5 多 1.5~2 個(gè)月不等。
HBM 生產(chǎn)周期較 DDR5 更長(zhǎng)，從投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上。因此，急欲取得充足供貨的買家需要更早鎖定訂單量。
據(jù) TrendForce 集邦咨詢了解，大部分針對(duì) 2024 年度的訂單都已經(jīng)遞交給供應(yīng)商，除非有驗(yàn)證無法通過的情況，否則目前來看這些訂單量均無法取消（non-cancellable）。
集邦咨詢觀察，以 HBM 產(chǎn)能來看，三星、SK 海力士（SK hynix）至今年底的 HBM 產(chǎn)能規(guī)劃最積極，三星 HBM 總產(chǎn)能至年底將達(dá)約 130K（含 TSV）；SK 海力士約 120K，但產(chǎn)能會(huì)依據(jù)驗(yàn)證進(jìn)度與客戶訂單持續(xù)而有變化。IT之家附上截圖如下：
另以現(xiàn)階段主流產(chǎn)品 HBM3 產(chǎn)品市占率來看，目前 SK 海力士于 HBM3 市場(chǎng)比重逾 9 成，而三星將隨著后續(xù)數(shù)個(gè)季度 AMD MI300 逐季放量持續(xù)緊追。
