5月30日消息，近日，AMD CEO蘇姿豐在比利時(shí)Imec ITF World 2024大會(huì)上披露，AMD計(jì)劃采用3nm環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)量產(chǎn)下一代芯片。
蘇姿豐當(dāng)時(shí)說，3nm GAA晶體管可提升效率及性能，封裝、互連（interconnect）技術(shù)也有改善，這會(huì)讓AMD產(chǎn)品變得更具成本效益、功耗效率（power efficiency）也較高。
目前，三星電子是唯一一家商業(yè)化GAA 3nm芯片加工技術(shù)的芯片制造商，并于2023年成為全球首家將3nm制程節(jié)點(diǎn)應(yīng)用至GAA晶體管架構(gòu)的廠商。
這也被解讀為AMD將與三星合作開發(fā)3nm GAA技術(shù)芯片，這一合作可能將幫助AMD在成本效益和能效方面取得優(yōu)勢(shì)。
與此同時(shí)，臺(tái)積電的3nm產(chǎn)能已被蘋果、高通等大客戶全包下。臺(tái)積電計(jì)劃從2nm節(jié)點(diǎn)開始將GAA技術(shù)應(yīng)用于其芯片制造工藝，預(yù)計(jì)將于2027年達(dá)到1.6nm工藝節(jié)點(diǎn)，并在2027-2028年左右開始量產(chǎn)1.4nm工藝。
業(yè)界分析人士指出，如果AMD與三星在3nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)上合作，這將有助于三星縮小其在代工市場與臺(tái)積電之間的市場份額差距。
長期以來，三星與AMD一直在圖形處理單元（GPU）和高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片方面進(jìn)行合作，HBM近期成為人工智能設(shè)備的熱門DRAM。
去年，三星和AMD簽署了一份多年期合作擴(kuò)展協(xié)議，將AMD的多代高性能、超低功耗的Radeon圖像銳化功能引入三星Exynos應(yīng)用處理器產(chǎn)品組合中。作為更廣泛合作的一部分，三星還同意向AMD提供HBM芯片和一站式封裝服務(wù)。
